Semiconductor MOCVD Substrat Heizung, MOCVD Heizelement

Kuerz Beschreiwung:

Nei optimiséiert Heizungen mat all Metallkonstruktioun si fäeg d'Verformung bei héijer Temperatur staark ze behalen.Dëst mécht datt se vill Virdeeler am Gebrauch hunn, sou wéi: héich Wiederholbarkeet, héich Uniformitéit, héich Zouverlässegkeet an héich Kompatibilitéit.


Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

MOCVD Substratheizung, Heizelementer Fir MOCVD
Graphite Heizung:
D'Graphitheizungskomponente ginn am Héichtemperaturofen benotzt mat enger Temperatur vun 2200 Grad am Vakuumëmfeld an 3000 Grad am deoxidéierten an agebaute Gasëmfeld erreecht.

MOCVD-Substrat-Heater-Heizung-Elementer-Fir-MOCVD2-300x300

MOCVD-Substrat-Heater-Heating-Elements-Fir-MOCVD3-300x300

MOCVD-Substrat-Heizung-Heizelementer-Fir-MOCVD-300x300

Main Fonctiounen vun GRAPHITE Heizung

1. Uniformitéit vun Heizung Struktur.
2. gutt elektresch Leitung an héich elektresch Laascht.
3. corrosion Resistenz.
4. inoxidizability.
5. héich chemesch Rengheet.
6. héich mechanesch Kraaft.
De Virdeel ass energieeffizient, héichwäerteg a geréng Ënnerhalt.
Mir kënnen Anti-Oxidatioun a laang Liewen span GRAPHITE Crucible produzéiere, GRAPHITE Ofdréck an all Deeler vun GRAPHITE Heizung.

Chemeschen Graphite

Virdeel: Héich Temperatur Resistenz
Applikatioun: MOCVD / Vakuumofen / Hot Zone
Bulk Dicht: 1.68-1.91g / cm3
Flexural Stäerkt: 30-46Mpa
Resistivitéit: 7-12μΩm

Haaptparameter vum Graphitheizung

Technesch Spezifizéierung VET-M3
Bulk Dicht (g/cm3) ≥1,85
Ash Inhalt (PPM) ≤500
Shore Hardness ≥45
Spezifesch Resistenz (μ.Ω.m) ≤12
Flexural Strength (Mpa) ≥40
Kompressiv Kraaft (Mpa) ≥70
Max.Kärgréisst (μm) ≤43
Thermesch Expansiounskoeffizient Mm/°C ≤4,4*10-6

Graphite Heizung fir elektreschen Uewen huet Eegeschafte vun Hëtzt Resistenz, Oxidatioun Resistenz, gutt elektresch Konduktivitéit a besser mechanesch Intensitéit.Mir kënnen verschidden Aarte vu Graphitheizungen no Clienten Design maachen.

Firma Profil

ongeféier (3)
WeiTai Energy Technology Co., Ltd.Zousätzlech ass eis Firma och engagéiert fir Keramikfelder wéi Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Zirkoniumoxid, a Siliziumnitrid, asw.

Eis Haaptprodukter enthalen: Siliziumkarbid Ätsche Scheif, Siliziumkarbid Bootsschleep, Siliziumkarbid Waferboot (Fotovoltaik & Halbleiter), Siliziumkarbid-Uewenröhr, Siliziumkarbid-Cantilever Paddel, Siliziumkarbid-Chucks, Siliziumkarbid-SiC-Beschichtung, souwéi Ta CVD-SiC-Beschichtung, souwéi Beschichtung.D'Produkter déi haaptsächlech an der Hallefleit- a Photovoltaikindustrie benotzt ginn, wéi Ausrüstung fir Kristallwachstum, Epitaxie, Ätzen, Verpakung, Beschichtung an Diffusiounsofen, asw.

Eis Gesellschaft huet déi komplett Produktiounsausrüstung wéi Formen, Sinteren, Veraarbechtung, Beschichtungsausrüstung, asw., déi all déi néideg Linke vun der Produktproduktioun fäerdeg bréngen an eng méi héich Kontrollbarkeet vun der Produktqualitéit hunn;Den optimale Produktiounsplang kann no de Bedierfnesser vum Produkt ausgewielt ginn, wat zu méi niddrege Käschten resultéiert an de Cliente méi kompetitiv Produkter ubitt;Mir kënnen d'Produktioun flexibel an effizient plangen op Basis vun Ufuerderunge fir d'Liwwerung an Zesummenaarbecht mat Online Bestellungsmanagementsystemer, déi Clienten méi séier a méi garantéiert Liwwerzäit ubidden.
guijiao


  • virdrun:
  • Nächste: