Semiconductor SiC Beschichtete monokristallin Silizium Epitaxial Scheif

Semiconductor SiC Beschichtete monocrystalline Silicon epitaxial Scheif Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd.Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverlässeg an innovativ Produkter fir d'Hallefleiterproduktioun ze liwweren,photovoltaik Industriean aner verbonne Felder.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Als zouverléissege Fournisseur verstinn mir d'Wichtegkeet vun Verbrauchsmaterial am Fabrikatiounsprozess, a mir verpflichte Produkter ze liwweren déi den héchste Qualitéitsnormen entspriechen fir d'Bedierfnesser vun eise Clienten ze erfëllen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vun GRAPHITE, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase Kuelestoff a Silicon enthalen bei héijer Temperatur reagéieren héich Rengheet SiC Molekülle ze kréien, Molekülle op der Uewerfläch vun der Beschichtete Material deposéiert, FormenSIC Schutzschicht.

Main Fonctiounen

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Properties
Kristallstruktur	FCC β Phase
Dicht	g/cm³	3.21
Hardness	Vickers Hardness	2500
Grain Gréisst	μm	2~10
Chemesch Rengheet	%	99,99995
Hëtzt Kapazitéit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatioun Temperatur	℃	2700
Felexural Kraaft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt Béi, 1300 ℃)	430
Thermal Expansioun (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitung	(W/mK)	300