SemiceraSiC Paddelsi fir minimal thermesch Expansioun konstruéiert, déi Stabilitéit a Präzisioun a Prozesser ubidden, wou d'Dimensiounsgenauegkeet kritesch ass. Dëst mécht hinnen ideal fir Uwendungen wouwafersgi widderholl Heiz- a Ofkillungszyklen ënnerworf, well de Waferboot seng strukturell Integritéit behält, fir eng konsequent Leeschtung ze garantéieren.
Integratioun vun Semicera'sSiliziumkarbid Diffusiounspaddelenan Är Produktiounslinn wäert d'Zouverlässegkeet vun Ärem Prozess verbesseren, duerch hir super thermesch a chemesch Eegeschaften. Dës Paddelen si perfekt fir Diffusioun, Oxidatioun an Glühungsprozesser, a suergen datt Wafere mat Suergfalt a Präzisioun duerch all Schrëtt gehandhabt ginn.
Innovatioun ass am Kär vun Semicera'sSiC PaddelDesign. Dës Paddelen sinn ugepasst fir nahtlos an existéierend Halbleiterausrüstung ze passen, déi verstäerkt Handhabungseffizienz ubidden. Déi liicht Struktur an den ergonomesche Design verbesseren net nëmmen den Wafertransport, awer reduzéieren och d'Operatiounszäit, wat zu enger streamlined Produktioun resultéiert.
| Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
| Immobilie | Typesch Wäert |
| Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld) |
| SiC Inhalt | > 99,96% |
| Gratis Si Inhalt | < 0,1% |
| Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Anscheinend Porositéit | < 16% |
| Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
| Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
| Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
| Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastesche Modul | 240 GPa |
| Wärmeschockbeständegkeet | Extrem gutt |
