Beschreiwung
De Semicera GaN Epitaxy Carrier ass virsiichteg entworf fir déi streng Ufuerderunge vun der moderner Hallefleitfabrikatioun z'erreechen. Mat engem Fundament vu qualitativ héichwäerteg Materialien a Präzisiounstechnik ënnersträicht dësen Träger duerch seng aussergewéinlech Leeschtung an Zouverlässegkeet. D'Integratioun vu Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) Beschichtung garantéiert eng super Haltbarkeet, thermesch Effizienz a Schutz, sou datt et eng bevorzugt Wiel fir Industriefachleit mécht.
Schlëssel Fonctiounen
1. Aussergewéinlech HaltbarkeetD'CVD SiC Beschichtung op der GaN Epitaxy Carrier verbessert seng Resistenz géint Verschleiung a verlängert seng Operatiounsdauer wesentlech. Dës Robustheet garantéiert eng konsequent Leeschtung och an usprochsvollen Fabrikatiounsëmfeld, reduzéiert d'Bedierfnes fir heefeg Ersatz an Ënnerhalt.
2. Superior thermesch EffizienzThermesch Gestioun ass kritesch an der Halbleiterfabrikatioun. Dem GaN Epitaxy Carrier seng fortgeschratt thermesch Eegeschafte erliichteren effizient Wärmevergëftung, behalen optimal Temperaturbedéngungen wärend dem epitaxiale Wuesstumsprozess. Dës Effizienz verbessert net nëmmen d'Qualitéit vun den Hallefleitwaferen, awer verbessert och d'Gesamtproduktiounseffizienz.
3. Schutzmoossnamen KënnenD'SiC Beschichtung bitt staarke Schutz géint chemesch Korrosioun an thermesch Schock. Dëst garantéiert datt d'Integritéit vum Carrier am ganzen Fabrikatiounsprozess erhale bleift, déi delikat Hallefleitmaterialien ofsécheren an d'Gesamtausgab an Zouverlässegkeet vum Fabrikatiounsprozess verbesseren.
Technesch Spezifikatioune:
Uwendungen:
De Semicorex GaN Epitaxy Carrier ass ideal fir eng Vielfalt vun Halbleiter Fabrikatiounsprozesser, dorënner:
• GaN epitaxial Wuesstem
• High-Temperatur semiconductor Prozesser
• Chemesch Vapor Deposition (CVD)
• Aner fortgeschratt semiconductor Fabrikatioun Uwendungen
