Beschreiwung
Mir behalen ganz enk Toleranzen beim Uwendung vun derSiC Beschichtung, mat héijer Präzisiounsveraarbechtung fir en eenheetleche Susceptorprofil ze garantéieren. Mir produzéiere och Material mat ideal elektresch Resistenz Eegeschafte fir benotzen an inductively gehëtzt Systemer. All fäerdeg Komponente kommen mat engem Rengheet an Dimensiounskonformitéitszertifika.
Eis Firma bittSiC BeschichtungProzess Servicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vun GRAPHITE, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silicon bei héijer Temperatur reagéieren héich Rengheet SiC Molekülle ze kréien, Molekülle op der Uewerfläch vun der Beschichtete Material deposéiert, Form SIC Schutzmoossnamen Schicht. De geformte SIC ass fest an d'Grafitbasis gebonnen, wat d'Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, sou datt d'Uewerfläch vum Grafit kompakt ass, Porositéitfräi, Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an Oxidatiounsbeständegkeet.
CVD Prozess liwwert extrem héich Rengheet an theoretesch Dicht vunSiC Beschichtungouni Porositéit. Wat méi ass, well Siliziumkarbid ganz haart ass, kann et op eng spigelähnlech Uewerfläch poléiert ginn.CVD Silicon Carbide (SiC) Beschichtunggeliwwert verschidde Virdeeler dorënner ultra-héich Rengheet Uewerfläch an extrem zouzedrécken Haltbarkeet. Well d'beschichtete Produkter super Leeschtung an héije Vakuum an héijen Temperaturen hunn, si si ideal fir Uwendungen an der Hallefleitindustrie an aner ultra-propper Ëmfeld. Mir bidden och pyrolytesch Graphit (PG) Produkter.
Main Fonctiounen
1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:
d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.
Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtungen
| SiC-CVD | ||
| Dicht | (g/cc) | 3.21 |
| Flexural Kraaft | (Mpa) | 470 |
| Thermesch Expansioun | (10-6/K) | 4 |
| Wärmeleitung | (W/mK) | 300 |
Applikatioun
CVD Silicon Carbide Beschichtung gouf scho an Hallefleitindustrie applizéiert, sou wéi MOCVD Schacht, RTP an Oxid Ätzkammer zënter Siliziumnitrid huet grouss thermesch Schockbeständegkeet a kann héich Energie Plasma widderstoen.
-Silicon Carbide gëtt wäit an Hallefleit a Beschichtung benotzt.
Applikatioun
Fourniture Fäegkeet:
10000 Stéck / Stécker pro Mount
Verpakung & Liwwerung:
Verpackung: Standard a staark Verpackung
Poly Bag + Këscht + Kartong + Palette
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Lead Time:
| Quantitéit (Stécker) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Zäit (Deeg) | 30 | Ze verhandelen |
