Silicon Carbide Beschichtete Disc fir MOCVD

DéiSilicon Carbide Discfir MOCVD aus semicera, eng héich performant Léisung fir optimal Effizienz an epitaxial Wuesstem Prozesser entworf. D'Semicera Silicon Carbide Disc bitt aussergewéinlech thermesch Stabilitéit a Präzisioun, sou datt et e wesentleche Bestanddeel an Si Epitaxy a SiC Epitaxy Prozesser mécht. Entworf fir déi héich Temperaturen an erfuerderlech Konditioune vu MOCVD Uwendungen ze widderstoen, garantéiert dës Disc zouverlässeg Leeschtung a Liewensdauer.

Eis Silicon Carbide Disc ass kompatibel mat enger breet Palette vu MOCVD Setups, inklusivMOCVD SusceptorSystemer, an ënnerstëtzt fortgeschratt Prozesser wéi GaN op SiC Epitaxy. Et integréiert och glat mat PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, an RTP Carrier Systemer, verbessert d'Präzisioun an d'Qualitéit vun Ärem Fabrikatiounsoutput. Egal ob fir Monocrystalline Silicon Produktioun oder LED Epitaxial Susceptor Uwendungen benotzt gëtt, garantéiert dës Disc aussergewéinlech Resultater.

Zousätzlech ass de Semicera Silicon Carbide Disc u verschidde Konfiguratiounen adaptéierbar, dorënner Pancake Susceptor a Barrel Susceptor Setups, bitt Flexibilitéit an diversen Fabrikatiounsëmfeld. D'Inklusioun vu Photovoltaic Parts erweidert seng Uwendung op d'Solarenergieindustrie weider, wat et e versatile an onverzichtbare Komponent fir modern mécht.epitaxialWuesstem an semiconductor Fabrikatioun.