Produit Beschreiwung
4h-n 4inch 6inch dia100mm sic Som wafer 1mm deck fir ingot Wuesstem
Benotzerdefinéiert Gréisst / 2 Zoll / 3 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC Ingots / Héich Rengheet 4H-N 4 Zoll 6 Zoll Dia 150 mm Siliziumkarbid Eenkristall (sic) Substrate wafersS / Customzied 4inch geschniddene Produkter Klass 4H-N 1,5 mm SIC Wafers fir Som Kristall
Iwwer Silicon Carbide (SiC) Kristall
Siliziumkarbid (SiC), och bekannt als Carborundum, ass e Hallefleit deen Silizium a Kuelestoff mat der chemescher Formel SiC enthält. SiC gëtt an Hallefleitelektronik Geräter benotzt, déi bei héijen Temperaturen oder héije Spannungen operéieren, oder béid. Muecht LEDs.
Beschreiwung
| Immobilie | 4H-SiC, Single Crystal | 6H-SiC, Single Crystal |
| Gitter Parameteren | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Stacking Sequenz | ABCB | ABCACB |
| Mohs Hardness | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Dicht | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Expansiounskoeffizient | 4-5 × 10-6 / K | 4-5 × 10-6 / K |
| Refraktioun Index @750nm | nee = 2,61 | nee = 2,60 |
| Dielektresch Konstant | c~9,66 | c~9,66 |
| Thermesch Konduktivitéit (N-Typ, 0,02 ohm.cm) | a~4,2 W/cm·K@298K |
|
| Thermesch Konduktivitéit (Hallefisoléierend) | a~4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| Band-Gap | 3.23 Eng | 3,02 eV |
| Break-Down elektresch Feld | 3-5 × 106 V/cm | 3-5 × 106 V/cm |
| Saturatioun Drift Geschwindegkeet | 2,0 × 105 m/s | 2,0 × 105 m/s |
