Siliziumnitrid gebonnen Siliziumkarbid
Si3N4 gebonnen SiC Keramik refractaire Material, ass mat héich pure SIC Feinpulver a Siliconpulver gemëscht, no Rutschgoss Course, Reaktioun gesintert ënner 1400 ~ 1500 ° C. Wärend dem Sinterkurs, deen héich pure Stickstoff an den Uewen fëllt, da reagéiert de Silizium mat Stickstoff a generéiert Si3N4, Also Si3N4 gebonnen SiC Material besteet aus Siliziumnitrid (23%) a Siliziumkarbid (75%) als Haaptrohmaterial , gemëscht mat organesche Material, a geformt duerch Mëschung, Extrusioun oder Gießen, dann no der Trocknung an der Nitrogeniséierung gemaach.
Fonctiounen a Virdeeler:
1.Hhéich Temperatur Toleranz
2.High thermesch Konduktivitéit a Schockbeständegkeet
3.High mechanesch Kraaft an Abrasion Resistenz
4.Excellent Energieeffizienz a Korrosiounsbeständegkeet
Mir bidden héich Qualitéit a Präzisioun machinéiert NSiC Keramik Komponenten déi duerch veraarbecht ginn
1.Rutschgoss
2.Extrudéieren
3.Uni Axial Pressen
4.Isostatic Drécken
Material Dateblatt
| > Chemesch Zesummesetzung | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Gratis Si | 0% | |
| Bulk Dicht (g/cm3) | 2,70～2,80 | |
| Scheinbar Porositéit (%) | 12～15 | |
| Béi Kraaft bei 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Béi Kraaft bei 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Béi Kraaft bei 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Drockstäerkt bei 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Wärmeleitung bei 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Thermesch Expansiounskoeffizient bei 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4,70 | |
| Wärmeschockbeständegkeet | exzellent | |
| Max. Temperatur (℃) | 1600 | |
