Silicon Carbide ass eng nei Zort vu Keramik mat héich Käschten Leeschtung an excellent Material Eegeschafte.Wéinst Features wéi héich Stäerkt an Hardness, héich Temperaturbeständegkeet, grouss thermesch Konduktivitéit a chemesch Korrosiounsbeständegkeet, Silicon Carbide kann bal all chemesch Medium widderstoen.Dofir gi SiC wäit an Uelegofbau, Chemikalien, Maschinnen a Loftraum benotzt, och Nuklearenergie an d'Militär hunn hir speziell Ufuerderungen un SiC.E puer normal Uwendungen, déi mir ubidden, sinn Dichtungsringen fir Pompel, Ventil a Schutzpanzer etc.
Mir sinn fäeg ze designen an ze fabrizéieren no Äre spezifesche Dimensiounen mat gudder Qualitéit a raisonnabel Liwwerzäit.
Uwendungen:
-Verschleißbeständeg Feld: Busch, Plack, Sandstrahldüse, Zyklonfassung, Schleiffass, asw ...
-Héichtemperaturfeld: SiC Plack, Quenching Furnace Tube, Radiant Tube, Crucible, Heizelement, Roller, Beam, Heat Exchanger, Cold Air Pipe, Brenner Nozzle, Thermocouple Protection Tube, SiC Boot, Kiln Auto Structure, Setter, etc.
-Militär Bulletproof Feld
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC Wafer Boot, sic Chuck, sic Paddel, sic Kassett, sic Diffusiounsröhr, Wafer Gabel, Saugplack, Guideway, etc.
-Silicon Carbide Seal Field: all Zorte vun Dichtungsring, Lager, Busch, etc.
-Photovoltaic Field: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.
-Lithium Batterie Feld
Technesch Parameteren:
-
Héich Puritéit Tantalkarbid Produkt Personnalisatioun
-
SiC Beschichtete Prozess fir Graphitbasis SiC Beschichtete ...
-
Héich Qualitéit Tantal Carbide (TaC) Beschichtung
-
Blo / gréng LED epitaxy
-
SiC Carrier fir RTP / RTA Schnellheizung Hëtzt Trea ...
-
SiC-beschichtete Semiconductor Epitaxial Reaktor fir ...