Aféierung zu Silicon Carbide Beschichtung
Eis Chemesch Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) Beschichtung ass eng héich haltbar a verschleißbeständeg Schicht, ideal fir Ëmfeld déi héich Korrosioun an thermesch Resistenz erfuerderen.Silicon Carbide Beschichtunggëtt an dënnen Schichten op verschidde Substrater duerch den CVD-Prozess applizéiert, bitt super Leeschtungseigenschaften.
Schlëssel Fonctiounen
● -Aussergewéinlech Puritéit: Boasting an ultra-pure Zesummesetzung vun99,99995%, eisSiC Beschichtungminiméiert Kontaminatiounsrisiken a sensiblen Halbleiteroperatiounen.
● -Superior Resistenz: Ausgezeechent exzellente Resistenz géint Verschleiung a Korrosioun, sou datt et perfekt ass fir Erausfuerderung chemesch a Plasma Astellungen.
● -High Thermal Conductivity: Assuréiert zouverlässeg Leeschtung ënner extremen Temperaturen duerch seng aussergewéinlech thermesch Eegeschaften.
● -Dimensional Stabilitéit: Erhält strukturell Integritéit iwwer eng breet Palette vun Temperaturen, dank sengem nidderegen thermesche Expansiounskoeffizient.
● -Enhanced Hardness: Mat enger hardness Bewäertung vun40 GPa, eis SiC-Beschichtung hält bedeitend Auswierkungen an Abrasioun.
● -Smooth Surface Finish: Bitt e spigelähnlechen Ofschloss, reduzéiert d'Partikelgeneratioun a verbessert d'operativ Effizienz.
Uwendungen
Semicera SiC Beschichtungenginn a verschiddene Stadien vun der Halbleiterfabrikatioun benotzt, dorënner:
● -LED Chip Fabrikatioun
● -Polysilicon Produktioun
● -Semiconductor Crystal Wuesstem
● -Silizium a SiC Epitaxie
● -Thermesch Oxidatioun an Diffusioun (TO&D)
Mir liwweren SiC-beschichtete Komponenten aus héichstäerkt isostatesche Graphit, Kuelestofffaser-verstäerkt Kuelestoff a 4N rekristalliséiertem Siliziumkarbid, ugepasst fir Fluidbettreaktoren,STC-TCS Konverter, CZ Eenheetsreflektoren, SiC Wafer Boot, SiCwafer Paddel, SiC Wafer Tube, a Wafer Carriers benotzt an PECVD, Silicon Epitaxy, MOCVD Prozesser.
Virdeeler
● -Verlängert Liewensdauer: Reduzéiert d'Ausrüstungszäit an d'Ënnerhaltskäschten wesentlech reduzéiert, d'Gesamtproduktiounseffizienz verbessert.
● -verbessert Qualitéit: Erreecht héich Puritéit Flächen, déi néideg sinn fir d'Halbleiterveraarbechtung, sou datt d'Produktqualitéit erhéicht gëtt.
● -Erhéijung Effizienz: Optiméiert thermesch a CVD Prozesser, wat zu méi kuerzen Zykluszäiten a méi héije Rendement resultéiert.
Technesch Spezifikatioune
● -Struktur: FCC β Phase polykristallin, haaptsächlech (111) orientéiert
● -Dicht: 3,21 g/cm³
● -Häertheet: 2500 Vickes Hardness (500g Laascht)
● -Fracture Zähegkeet: 3,0 MPa·m1/2
● -Thermesch Expansiounskoeffizient (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastesche Modul (1300 ℃):435 GPa
● -typesch Filmdicke:100 µm
● -Surface Roughness:2-10 µm
Rengheetsdaten (gemooss duerch Glüh-Entladungsmassspektroskopie)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
