FZ Silicon Wafers

Kuerz Beschreiwung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverléisseg an innovativ Produkter fir Hallefleitfabrikatioun, Photovoltaikindustrie an aner ähnlech Felder ze liwweren.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Am Moment si mir deen eenzegen Hiersteller fir Rengheet 99,9999% SiC Beschichtung an 99,9% ëmkristalliséiertem Siliziumcarbid ze bidden. Déi maximal SiC Beschichtungslängt kënne mir 2640mm maachen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Float Zone Wafer gëtt mat der Floating Zone Schmelzmethod ugebaut (Float Zone Melting Method), och bekannt als Zone Schmelzwafer, FZ Wafer, ass eng héich Puritéit Siliziumwafer, kann den CZ Eenkristall riichtaus gezunne Prozess vu Siliziumwafers ersetzen.Am Verglach mat Wafere fabrizéiert mat der CZ Method, hunn zonéiert Wafere vill Virdeeler, sou wéi kee Crucible, niddereg Produktiounsbelaaschtung, a keng Schmelzpunktbegrenzung, wat se ideal mécht fir Uwendungen wéi Solarmoduler, RF-Geräter, a Präzisiounskraaftapparater. D'Konzentratioun vu Sauerstoff a Kuelestoff Gëftstoffer an FZ wafers ass niddereg, a Stéckstoff ass speziell dobäi seng mechanesch Kraaft ze verbesseren.

Artikel	Argument	Prouf Ufro
Quantitéit:		100 Stéck
Wuesstem Method:	Float Zone	FZ
Duerchmiesser:	50/75/100/150/200/300 mm	100 mm
Typ/Dopant:	P-Typ / N-Typ / Intrinsesch	N-Typ
Orientéierung:	<1-0-0>/<1-1-0>/<1-1-1>或其它	<100>
Resistivitéit:	100 ~ 30.000 ohm-cm	3000 ohm-cm
Dicke:	275 um ~ 775 um	5 00um
Ofschloss:	SSP/DSP	DSP
Flats:	Notch / Zwee SEMI Standard Appartementer	Notch
BOW/WARP:	<10 µm	<40 um
TTV:	<5 µm	<20 um
Grad:	Prime / Test / Dummy	Premier