GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| Gallium Arsenid Substrate

GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers| Galllium Arsenid Substrate Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. Mir sinn engagéiert fir qualitativ héichwäerteg, zouverléisseg an innovativ Produkter fir Hallefleitfabrikatioun, Photovoltaikindustrie an aner ähnlech Felder ze liwweren.

Eis Produktlinn enthält SiC / TaC Beschichtete Grafitprodukter a Keramikprodukter, déi verschidde Materialien enthalen wéi Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, an Aluminiumoxid an asw.

Am Moment si mir deen eenzegen Hiersteller fir Rengheet 99,9999% SiC Beschichtung an 99,9% ëmkristalliséiertem Siliziumcarbid ze bidden. Déi maximal SiC Beschichtungslängt kënne mir 2640mm maachen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

GaAs-Substrate sinn opgedeelt an konduktiv an semi-isoléierend, déi wäit am Laser (LD), Hallefleit-Liichtdiode (LED), no-Infrarout-Laser, Quantewell-High-Power Laser a High-Effizienz Solarpanneauen benotzt ginn. HEMT an HBT Chips fir Radar, Mikrowelle, Millimeterwellen oder Ultra-High Speed Computeren an optesch Kommunikatiounen; Radio Frequenz Apparater fir drahtlose Kommunikatioun, 4G, 5G, Satellit Kommunikatioun, WLAN.

Viru kuerzem hunn d'Galliumarsenid-Substrate och grouss Fortschrëtter a Mini-LED, Micro-LED a roude LED gemaach, a gi wäit an AR / VR wearable Geräter benotzt.

Duerchmiesser 晶片直径	50 mm \| 75 mm \| 100 mm \| 150 mm
Wuesstem Method 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Wafer Dicke 厚度	350 um ~ 625 um
Orientéierung 晶向	<100> / <111> / <110> oder anerer
Konduktiv Typ 导电类型	P - Typ / N - Typ / Semi-isoléierend
Typ / Dopant 掺杂剂	Zn / Si / undoped
Carrier Konzentratioun 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 cm-3
Resistivitéit op RT 室温电阻率(ohm•cm)	≥1E7 fir SI
Mobilitéit 迁移率(cm2/V•Sek)	≥4000
EPD (Etch Pit Density) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
Béi / Knascht 翘曲度	≤ 20 um
Uewerfläch Finish 表面	DSP/SSP
Laser Mark 激光码
Grad 等级	Epi poléiert Grad / mechanesch Grad