Gallium Nitride Substrate|GaN Wafers

Kuerz Beschreiwung:

Galliumnitrid (GaN), wéi Siliziumkarbid (SiC) Materialien, gehéiert zu der drëtter Generatioun vun Hallefleitmaterialien mat breet Bandspaltbreet, mat grousser Bandspaltbreet, héijer thermescher Konduktivitéit, héijer Elektronen Sättigung Migratiounsquote, an héich Decompte elektrescht Feld aussergewéinlech. Charakteristiken.GaN Apparater hunn eng breet Palette vun Applikatioun Perspektiven an héich Frequenz, héich Vitesse an héich Muecht Nofro Felder wéi LED Energie-spueren Beliichtung, Laser Projektioun Display, nei Energie Gefierer, Smart Gitter, 5G Kommunikatioun.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Déi drëtt Generatioun Hallefleitmaterialien enthalen haaptsächlech SiC, GaN, Diamant, etc., well seng Bandspaltbreet (Eg) méi grouss ass wéi oder gläich wéi 2,3 Elektronenvolt (eV), och bekannt als Breetbandspalt-Hallefuedermaterial. Am Verglach mat der éischter an zweeter Generatioun semiconductor Material, déi drëtt Generatioun semiconductor Materialien hunn d'Virdeeler vun héich thermesch Leit, héich Decompte elektrescht Feld, héich gesättegt Elektronen Migratioun Taux an héich Bindung Energie, déi nei Ufuerderunge vun modern elektronesch Technologie fir héich treffen kann. Temperatur, héich Muecht, héich Drock, héich Frequenz an Stralung Resistenz an aner haart Konditiounen. Et huet wichteg Uwendungsperspektiven an de Beräicher vun der nationaler Verteidegung, Loftfaart, Raumfaart, Uelegfuerschung, optesch Lagerung, asw., a kann Energieverloscht ëm méi wéi 50% reduzéieren a ville strategesche Industrien wéi Breetbandkommunikatioun, Solarenergie, Autosfabrikatioun, Hallefleitbeliichtung, a Smart Gitter, a kann Ausrüstungsvolumen ëm méi wéi 75% reduzéieren, wat e Meilesteen bedeitend ass fir d'Entwécklung vun der mënschlecher Wëssenschaft an der Technologie.

Artikel 项目	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Duerchmiesser 晶圆直径	50,8 ± 1 mm
Dicke厚度	350 ± 25 μm
Orientéierung 晶向	C Plang (0001) Ofwénkel Richtung M-Achs 0,35 ± 0,15°
Prime Flat 主定位边	(1-100) 0 ± 0,5 °, 16 ± 1 mm
Secondaire Flat 次定位边	(11-20) 0 ± 3 °, 8 ± 1 mm
Konduktivitéit 导电性	N-Typ	N-Typ	Semi-isoléierend
Resistivitéit (300K) 电阻率	< 0,1 Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 106 Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
BOU 弯曲度	≤ 20 μm
Ga Gesiicht Fläch Roughness Ga面粗糙度	< 0,2 nm (poléiert);
	oder < 0,3 nm (poléiert an Uewerfläch Behandlung fir Epitaxie)
N Gesiicht Fläch Roughness N面粗糙度	0,5 ~ 1,5 μm
	Optioun: 1 ~ 3 nm (fein Buedem); < 0,2 nm (poléiert)
Dislokatioun Dicht 位错密度	Vun 1 x 105 bis 3 x 106 cm-2 (berechent duerch CL)*
Makro Defekt Dicht 缺陷密度	< 2 cm-2
Benotzbar Beräich 有效面积	> 90% (Ausgrenzung vun Rand- a Makrodefekter)
Kann no Client Ufuerderunge personaliséiert ginn, verschidde Struktur vu Silizium, Saphir, SiC baséiert GaN epitaxial Blat.