Semicera stellt héichwäerteg BenotzerdefinéiertSiliciumcarbid Cantilever Paddelenerstallt fir d'Halbleiter Fabrikatiounsprozesser z'erhéijen. Déi innovativSiC PaddelDesign suergt aussergewéinlech Haltbarkeet an héich thermesch Resistenz, mécht et e wesentleche Bestanddeel fir Wafer-Handhabung an usprochsvollen Héichtemperaturëmfeld.
DéiSiliziumkarbid Paddelass gebaut fir extrem thermesch Zyklen ze widderstoen, wärend strukturell Integritéit behalen, fir zouverlässeg Wafer Transport während kriteschen Phasen vun der Hallefleitproduktioun ze garantéieren. Mat super mechanesch Kraaft, dëstwafer Bootminiméiert de Risiko vu Schied un Waferen, wat zu méi héije Rendementer a konsequent Produktiounsqualitéit féiert.
Ee vun de Schlësselinnovatiounen am Semicera's SiC Paddel läit a senge personaliséierten Designoptiounen. Mooss fir spezifesch Produktiounsbedierfnesser ze erfëllen, bitt de Paddel Flexibilitéit an der Integratioun mat verschiddenen Ausrüstungsopstellungen, wat et eng ideal Léisung fir modern Fabrikatiounsprozesser mécht. Déi liicht awer robust Konstruktioun erlaabt einfach Handhabung a reduzéiert operationell Ausdauer, bäidréit zu enger verbesserter Effizienz an der Hallefleitproduktioun.
Zousätzlech zu sengen thermeschen a mechanesche Properties ass d'Siliziumkarbid Paddelbitt exzellent chemesch Resistenz, wat et erlaabt zouverlässeg och an haart chemeschen Ëmfeld ze Leeschtunge. Dëst mécht et besonnesch gëeegent fir ze benotzen a Prozesser mat Ätzen, Oflagerung an Héichtemperaturbehandlung, wou d'Integritéit vum Waferboot entscheedend ass fir héichqualitativ Ausgänge ze garantéieren.
Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
Immobilie | Typesch Wäert |
Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld) |
SiC Inhalt | > 99,96% |
Gratis Si Inhalt | < 0,1% |
Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
Anscheinend Porositéit | < 16% |
Kompressiounsstäerkt | > 600 MPa |
Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Wärmeleitung @1200°C | 23 W/m•K |
Elastesche Modul | 240 GPa |
Wärmeschockbeständegkeet | Extrem gutt |