【 Zesummefaassung Beschreiwung 】 A modernen C, N, B an aner net-Oxid High-Tech refractaire Matière première, atmosphäreschen Drock gesintertSiliziumkarbidass extensiv a wiertschaftlech, a kann gesot ginn, datt et Schmier oder refractaire Sand ass.PureSiliziumkarbidass faarweg transparent Kristall.Also wat ass d'Material Struktur a Charakteristiken vunSiliziumkarbid?
Material Struktur vun Atmosphär Drock gesintertSiliziumkarbid:
Den atmosphäreschen Drock gesintertSiliziumkarbidan der Industrie benotzt ass hell giel, gréng, blo a schwaarz no der Zort an Inhalt vun Gëftstoffer, an der Rengheet ass anescht an der Transparenz ass anescht.D'Kristallstruktur vu Siliziumkarbid ass a sechs-Wuert oder diamantfërmeg Plutonium a kubesch Plutonium-Sic opgedeelt.Plutonium-sic bildt eng Vielfalt vun Deformatiounen wéinst der ënnerschiddlecher Stackuerdnung vu Kuelestoff a Siliziumatomer an der Kristallstruktur, a méi wéi 70 Aarte vu Verformung goufen fonnt.beta-SIC konvertéiert op Alpha-SIC iwwer 2100. Den industrielle Prozess vu Siliziumkarbid gëtt mat héichqualitativen Quarzsand a Petrol Kock an engem Resistenzofen raffinéiert.Raffinéiert Siliziumkarbidblocken ginn zerquetscht, Säure-Basisreinigung, magnetesch Trennung, Screening oder Waasserauswiel fir eng Vielfalt vu Partikelgréisst Produkter ze produzéieren.
Material Charakteristiken vum Atmosphärendrockgesintert Siliziumkarbid:
Silicon Carbide huet eng gutt chemesch Stabilitéit, thermesch Konduktivitéit, thermesch Expansiounskoeffizient, Verschleißbeständegkeet, sou datt nieft der abrasiver Benotzung vill Gebrauch sinn: Zum Beispill gëtt de Siliziumkarbidpulver op der banneschten Mauer vum Turbine-Impeller oder Zylinderblock beschichtet. e spezielle Prozess, deen d'Verschleißbeständegkeet verbesseren kann an d'Liewen vun 1 bis 2 Mol verlängeren.Made vun Hëtzt-resistent géint, kleng Gréisst, Liichtjoer Gewiicht, héich Kraaft vun héich-Schouljoer refractaire Materialien, Energieeffizienz ass ganz gutt.Low-grade Siliciumcarbid (inklusiv ongeféier 85% SiC) ass en exzellenten Deoxidisator fir d'Stahlgeschwindegkeet ze erhéijen an d'chemesch Zesummesetzung einfach ze kontrolléieren fir d'Stolqualitéit ze verbesseren.Zousätzlech ass atmosphäresch Drock gesintert Siliziumkarbid och wäit an der Fabrikatioun vun elektreschen Deeler vu Silizium Kuelestoffstäbchen benotzt.
Siliziumcarbid ass ganz schwéier.Morse hardness ass 9,5, zweet nëmmen un der Welt d'haarden Diamanten (10), ass e semiconductor mat excellent thermesch Leit, kann Oxidatioun bei héijen Temperaturen widderstoen.Siliziumkarbid huet op d'mannst 70 kristallin Aarte.Plutonium-Siliciumkarbid ass e gemeinsame Isomer deen bei Temperaturen iwwer 2000 geformt gëtt an eng sechseckeg Kristallstruktur huet (ähnlech wéi Wurtzit).Sinter Siliziumkarbid ënner Atmosphärendrock
Applikatioun vunSiliziumkarbidan der semiconductor Industrie
D'Silicon Carbide Hallefleitindustrie Kette enthält haaptsächlech Siliziumcarbid High-Purity Pulver, Eenkristallsubstrat, Epitaxialplack, Kraaftkomponenten, Modulverpackung an Terminalapplikatiounen.
1. Single Crystal Substrat Single Crystal Substrat ass e Halbleiter-Ënnerstëtzungsmaterial, konduktivt Material an epitaxial Wuesstumssubstrat.Am Moment enthalen d'Wuessmethod vu SiC Eenkristallen déi kierperlech Dampfertransfermethod (PVT Method), Flëssegphase Method (LPE Method), an Héichtemperatur chemesch Dampdepositiounsmethod (HTCVD Method).Sinter Siliziumkarbid ënner atmosphäreschen Drock
2. Epitaxial Blat Silicon Carbide epitaxial Blat, Silicon Carbide Blat, Single Kristallsglas produzéiert Film (epitaxial Layer) mat der selwechter Richtung wéi de Substrat Kristallsglas produzéiert datt bestëmmte Viraussetzunge fir de Silicon Carbide Substrat huet.An praktesch Uwendungen, breet Band Spalt semiconductor Apparater sinn bal all an der epitaxial Layer hiergestallt, an de Silicon Chip selwer gëtt nëmmen als Substrat benotzt, dorënner de Substrat vun GaN epitaxial Layer.
3. High-Purity Silicon Carbide Puder High-Purity Silicon Carbide Puder ass de Rohmaterial fir de Wuesstum vum Silicium Carbide Eenkristall duerch PVT Method, an d'Rengheet vum Produkt beaflosst direkt d'Wuessqualitéit an d'elektresch Charakteristiken vum Silicium Carbide Eenkristall.
4. D'Kraaftapparat ass eng Breetbandkraaft aus Siliziumkarbidmaterial, deen d'Charakteristike vun héijer Temperatur, héich Frequenz an héich Effizienz huet.No der Operatiounsform vum Apparat enthält de SiC Stroumversuergungsapparat haaptsächlech eng Kraaftdiode an e Stroumschalterröhr.
5. Terminal An drëtt-Generatioun semiconductor Uwendungen, Silicon Carbide semiconductors hunn de Virdeel vun engem komplementar zu Gallium Nitrid semiconductors.Wéinst der héijer Konversiounseffizienz, gerénger Heizungseigenschaften, Liichtgewiicht an aner Virdeeler vu SiC-Geräter, geet d'Nofro vun der Downstream Industrie weider erop, an et gëtt en Trend fir SiO2-Geräter ze ersetzen.
Post Zäit: Okt-16-2023