Silicon Carbide Beschichtete Epitaxial Reaktor Faass

Kuerz Beschreiwung:

Semicera ass eng High-Tech Entreprise, déi fir vill Jore mat Materialfuerschung engagéiert ass, mat engem féierende R&D Team an integréiert R&D a Fabrikatioun. Bitt personaliséiert Silicon Carbide Beschichtete Epitaxial Reaktorfass fir mat eisen techneschen Experten ze diskutéieren wéi Dir déi bescht Leeschtung a Maartvirdeeler fir Är Produkter kritt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Firwat ass Silicon Carbide Beschichtung?

Am Halbleiterfeld ass d'Stabilitéit vun all Komponent ganz wichteg fir de ganze Prozess. Wéi och ëmmer, an engem héijen Temperaturen Ëmfeld gëtt Graphit liicht oxidéiert a verluer, a SiC Beschichtung kann stabile Schutz fir Graphitdeeler ubidden. An derSemiceraEquipe, mir hunn eis eege GRAPHITE Reinigung Veraarbechtung Equipement, déi d'Rengheet vun GRAPHITE ënner 5ppm Kontroll kann. D'Rengheet vun der Siliziumkarbidbeschichtung ass ënner 0,5 ppm.

Eise Virdeel, firwat wielt Semicera?

✓ Top Qualitéit am China Maart

✓ Gutt Service ëmmer fir Iech, 7*24 Stonnen

✓ Kuerz Liwwerdatum

✓ Kleng MOQ wëllkomm an akzeptéiert

✓ Benotzerdefinéiert Servicer

Applikatioun

Epitaxy Wuesstem Susceptor

Silizium / Siliciumcarbid Wafere mussen duerch verschidde Prozesser goen fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. E wichtege Prozess ass Silizium / Sic Epitaxie, an där Silizium / Sic Wafere op enger Grafitbasis gedroe ginn. Besonnesch Virdeeler vum Semicera Siliziumkarbid-beschichtete Grafitbasis enthalen extrem héich Rengheet, eenheetlech Beschichtung an extrem laang Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit.

Silicon Epitaxy Susceptor

Silicon Carbide Epitaxy Susceptor

LED Chip Produktioun

Wärend der extensiv Beschichtung vum MOCVD-Reaktor bewegt d'planetaresch Basis oder den Träger de Substratwafer. D'Performance vum Basismaterial huet e groussen Afloss op d'Beschichtungsqualitéit, wat am Tour d'Schrottrate vum Chip beaflosst. Semicera's Siliziumkarbid-beschichtete Base erhéicht d'Fabrikatiounseffizienz vu qualitativ héichwäerteg LED Waferen a miniméiert d'Wellenlängtabweichung. Mir liwweren och zousätzlech Graphitkomponente fir all MOCVD Reaktoren déi aktuell am Gebrauch sinn. Mir kënne bal all Komponent mat enger Siliziumkarbidbeschichtung beschichten, och wann de Komponentdurchmesser bis zu 1,5M ass, kënne mir nach ëmmer mat Siliziumkarbid beschichten.

LED Epitaxy Susceptor

Semiconductor Field, Oxidatiounsdiffusiounsprozess, etc.

Am Halbleiterprozess erfuerdert den Oxidatiounsexpansiounsprozess héich Produktreinheet, a bei Semicera bidde mir personaliséiert a CVD Beschichtungsservicer fir d'Majoritéit vu Siliziumkarbiddeeler.

Déi folgend Bild weist de rau veraarbechte Siliciumcarbid-Schlämm vu Semicea an de Siliziumkarbid-Uewenröhr deen an der 100 gebotzt gëtt0- NiveauStëbs-gratisZëmmer. Eis Aarbechter schaffen virum Beschichtung. D'Rengheet vun eisem Siliziumkarbid kann 99,99% erreechen, an d'Rengheet vun der sic Beschichtung ass méi wéi 99,99995%.