Graphite susceptor mat Silicon Carbide Beschichtung, Wafer Carrier

Kuerz Beschreiwung:

Semicera offréiert eng ëmfaassend Palette vun susceptors a GRAPHITE Komponente fir verschidden epitaxy reactors entworf.

Duerch strategesch Partnerschafte mat industrieféierende OEMs, extensiv Materialexpertise, a fortgeschratt Fabrikatiounsfäegkeeten, liwwert Semicera personaliséiert Designs fir déi spezifesch Ufuerderunge vun Ärer Applikatioun ze treffen.Eist Engagement fir Exzellenz garantéiert datt Dir optimal Léisunge fir Är Epitaxy-Reaktorbedürfnisser kritt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

CVD-SiC Beschichtung huet d'Charakteristiken vun enger eenheetlecher Struktur, kompakt Material, héich Temperatur Resistenz, Oxidatioun Resistenz, héich Rengheet, Seier & Alkali Resistenz an organesch Reagens, mat stabil kierperlech a chemesch Eegeschaften.
Am Verglach mat héich-Rengheet GRAPHITE Materialien, GRAPHITE fänkt um 400C ze oxidize, déi e Verloscht vun Pudder wéinst Oxidatioun Ursaach wäert, Ëmweltverschmotzung zu Peripheriegeräter a Vakuum Chambers doraus, an Erhéijung Gëftstoffer vun héich-Rengheet Ëmwelt.
Wéi och ëmmer, SiC Beschichtung kann kierperlech a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad erhalen, Et gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleitindustrie.

FDVCDV

zcfvzxcvZSXCv

Eis Gesellschaft liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Moleküle op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert, SIC Schutzschicht bilden.De geformte SIC ass fest an d'Grafitbasis gebonnen, wat d'Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, sou datt d'Uewerfläch vum Grafit kompakt ass, Porositéitfräi, Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an Oxidatiounsbeständegkeet.

Applikatioun

Main Fonctiounen

1 .High Purity SiC Beschichtete Grafit

2. Superior Hëtzt Resistenz & thermesch Uniformitéit

3. Fine SiC Kristallsglas produzéiert fir eng glat Uewerfläch

4. Héich Haltbarkeet géint chemesch Botzen

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtungen

SiC-CVD
Dicht	(g/cc)	3.21
Flexural Kraaft	(Mpa)	470
Thermesch Expansioun	(10-6/K)	4
Wärmeleitung	(W/mK)	300

Verpakung a Versand

Fourniture Fäegkeet:
10000 Stéck / Stécker pro Mount
Verpakung & Liwwerung:
Verpackung: Standard a staark Verpackung
Poly Bag + Këscht + Kartong + Palette
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Beaarbechtungszäit: