Graphit Susceptor mat Silicon Carbide Beschichtung, 8 Zoll Wafer Carrier

Kuerz Beschreiwung:

Semicera Energy bitt eng ëmfaassend Palette vu Susceptoren a Graphitkomponenten, déi fir verschidden Epitaxisreaktoren entworf sinn.

Duerch strategesch Partnerschafte mat industrieféierende OEMs, extensiv Materialexpertise, a fortgeschratt Fabrikatiounsfäegkeeten, liwwert Weitai personaliséiert Designen fir déi spezifesch Ufuerderunge vun Ärer Applikatioun ze treffen. Eist Engagement fir Exzellenz garantéiert datt Dir optimal Léisunge fir Är Epitaxy-Reaktorbedürfnisser kritt.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Beschreiwung

CVD-SiC Beschichtunghuet d'Charakteristiken vun eenheetlech Struktur, kompakt Material, héich Temperatur Resistenz, Oxidatioun Resistenz, héich Rengheet, Seier & Alkali Resistenz an organesch reagent, mat stabil kierperlech a chemesch Eegeschaften.

Am Verglach mat héich-Rengheet GRAPHITE Materialien, GRAPHITE fänkt um 400C ze oxidize, déi e Verloscht vun Pudder wéinst Oxidatioun Ursaach wäert, Ëmweltverschmotzung zu Peripheriegeräter a Vakuum Chambers doraus, an Erhéijung Gëftstoffer vun héich-Rengheet Ëmwelt.
Allerdéngs,SiC Beschichtungkann kierperlech a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad erhalen, Et gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleitindustrie.

CFGNBHXF

SFGHBZSF

Main Fonctiounen

1 .High Purity SiC Beschichtete Grafit

2. Superior Hëtzt Resistenz & thermesch Uniformitéit

3. GuttSiC Kristall Beschichtetefir eng glat Uewerfläch

4. Héich Haltbarkeet géint chemesch Botzen

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtungen:

SiC-CVD
Dicht	(g/cc)	3.21
Flexural Kraaft	(Mpa)	470
Thermesch Expansioun	(10-6/K)	4
Wärmeleitung	(W/mK)	300

Verpakung a Versand

Fourniture Fäegkeet:
10000 Stéck / Stécker pro Mount
Verpakung & Liwwerung:
Verpackung: Standard a staark Verpackung
Poly Bag + Këscht + Kartong + Palette
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Lead Time: