China Wafer Hiersteller, Fournisseuren, Factory
Wat ass den Halbleiterwafer?
Eng Hallefleitwafer ass eng dënn, ronn Slice vun Hallefleitmaterial, dat als Grondlag fir d'Fabrikatioun vun integréierte Circuits (ICs) an aner elektronesch Geräter déngt. De Wafer bitt eng flaach an eenheetlech Uewerfläch, op där verschidde elektronesch Komponenten gebaut ginn.
De Wafer-Fabrikatiounsprozess beinhalt e puer Schrëtt, ënner anerem e groussen eenzege Kristall vum gewënschten Halbleitermaterial ze wuessen, de Kristall an dënn Wafere mat enger Diamantsäge ze schneiden, an dann d'Waferen poléieren an ze botzen fir all Uewerflächefehler oder Gëftstoffer ze läschen. Déi resultéierend Wafere hunn eng héich flaach a glat Uewerfläch, wat entscheedend ass fir déi spéider Fabrikatiounsprozesser.
Wann d'Wafere virbereet sinn, ënnerleien se eng Serie vu Hallefleitfabrikatiounsprozesser, wéi Photolithographie, Ätzen, Oflagerung an Doping, fir déi komplizéiert Musteren a Schichten ze kreéieren déi néideg sinn fir elektronesch Komponenten ze bauen. Dës Prozesser ginn e puer Mol op enger eenzeger Wafer widderholl fir verschidde integréiert Circuiten oder aner Geräter ze kreéieren.
Nodeems de Fabrikatiounsprozess fäerdeg ass, ginn déi eenzel Chips getrennt andeems de Wafer laanscht virdefinéiert Linnen zerstéiert gëtt. Déi getrennte Chips ginn dann verpackt fir se ze schützen an elektresch Verbindunge fir d'Integratioun an elektronesch Geräter ze bidden.
Verschidde Materialien op Wafer
Semiconductor Wafere ginn haaptsächlech aus Single-Crystal Silizium gemaach wéinst sengem Iwwerfloss, exzellenten elektresche Properties, a Kompatibilitéit mat Standard Halbleiter Fabrikatiounsprozesser. Wéi och ëmmer, ofhängeg vun spezifeschen Uwendungen an Ufuerderungen, kënnen aner Materialien och benotzt ginn fir Wafers ze maachen. Hei sinn e puer Beispiller:
Silicon Carbide (SiC) ass e breet Bandgap Hallefleitmaterial dat superieur physikalesch Eegeschaften am Verglach mat traditionelle Materialien ubitt. Et hëlleft d'Gréisst an d'Gewiicht vun diskreten Apparater, Moduler a souguer ganz Systemer ze reduzéieren, wärend d'Effizienz verbessert.
Schlësselcharakteristike vu SiC:
- - Breet Bandgap:De SiC Bandgap ass ongeféier dräimol dee vum Silizium, wat et erlaabt bei méi héijen Temperaturen, bis zu 400 °C, ze bedreiwen.
- - Héich kritesch Decompte Feld:SiC kann bis zu zéng Mol dat elektrescht Feld vu Silizium widderstoen, wat et ideal mécht fir Héichspannungsapparater.
- -Héich thermesch Konduktivitéit:SiC dissipéiert effizient Hëtzt, hëlleft Apparater optimal Operatiounstemperaturen ze halen an hir Liewensdauer ze verlängeren.
- -Héich Sättigung Elektronen Drift Geschwindegkeet:Mat duebeler Driftgeschwindegkeet vum Silizium erméiglecht SiC méi héich Schaltfrequenzen, hëlleft bei der Miniaturiséierung vum Apparat.
Uwendungen:
-
- Power Electronics:SiC Kraaftapparater excel an Héichspannungs-, Héichstroum-, Héichtemperatur- an Héichfrequenz Ëmfeld, wat d'Energiekonversiounseffizienz wesentlech verbessert. Si gi wäit an elektresche Gefierer, Opluedstatiounen, Photovoltaiksystemer, Schinnentransport a Smart Gitter benotzt.
-
- Mikrowell Kommunikatioun:SiC-baséiert GaN RF Apparater sinn entscheedend fir drahtlose Kommunikatiounsinfrastruktur, besonnesch fir 5G Basisstatiounen. Dës Apparater kombinéieren SiC's exzellent thermesch Konduktivitéit mat GaN's Héichfrequenz, High-Power RF Output, sou datt se déi léifste Wiel fir d'nächst Generatioun High-Frequenz Telekommunikatiounsnetzwierker maachen.
Galliumnitrid (GaN)ass en drëtt-Generatioun breet Bandgap Hallefleitmaterial mat engem grousse Bandgap, héich thermesch Konduktivitéit, héich Elektronen Sättigung Driftgeschwindegkeet, an exzellente Decompte Feldcharakteristiken. GaN Apparater hunn breet Applikatioun Perspektiven an héich-Frequenz, Héich-Vitesse, an héich-Muecht Beräicher wéi LED Energie-spueren Beliichtung, Laser Projektioun Affichage, elektresch Gefierer, Smart Gitter, an 5G Kommunikatiounen.
Galliumarsenid (GaAs)ass e Hallefleitmaterial bekannt fir seng héich Frequenz, héich Elektronemobilitéit, héich Kraaftoutput, geréng Geräischer a gutt Linearitéit. Et gëtt wäit an der Optoelektronik a Mikroelektronikindustrie benotzt. An der Optoelektronik gi GaAs-Substrate benotzt fir LED (Liichtemittéierdioden), LD (Laserdioden) a Photovoltaik Geräter ze fabrizéieren. An der Mikroelektronik gi se an der Produktioun vu MESFETs (Metal-Halbleiter Feldeffekt Transistoren), HEMTs (High Elektron Mobilitéit Transistoren), HBTs (heterojunction bipolare Transistoren), ICs (integréiert Circuits), Mikrowellendioden, an Hall Effekt Geräter agestallt.
Indiumphosphid (InP)ass ee vun de wichtege III-V Compound Hallefleit, bekannt fir seng héich Elektronemobilitéit, exzellent Stralungsbeständegkeet a breet Bandgap. Et gëtt wäit an der Optoelektronik a Mikroelektronikindustrie benotzt.
